在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳,為非腐蝕性氣體,所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅,鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質和半導體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。
因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩定性更好。吸入四氟化碳的后果與濃度有關,包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。
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