四氟化碳的用途與作用 :
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環境下是相對惰性的,在不通風的地方會引起窒息。在射頻等離子體環境中,氟自由基表現為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程,使尺寸和形狀得到更好的控制,這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時不利于各種特殊的控制(如半導體各項異性控制)。
對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態是不同的,就像氧氣在101kPa時會呈現出液態。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。
四氟化碳(CF4)早就是通過氟碳直接反應法制得的,該方法經過不斷的發展與完善, 如今已成為工業上制備全的主要的方法之一。高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學性質穩定,在密閉容器中遇高熱有危險,不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。
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